Категория продукта:

Биполярные транзисторы - BJT

RoHS:

Тип монтажа:

SMD / SMT

Упаковка /Кейс:

SOT-223-4

Полярность транзистора:

NPN

Конфигурация:

Одиночный

Напряжение коллектор-эмиттер VCEO Max:

80 В

Напряжение коллектор-база VCBO:

100 В

Напряжение эмиттер-база VEBO:

5 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:

500 мВ

Максимальный ток коллектора постоянного тока:

1 А

Pd - рассеиваемая мощность:

1.5 W

Коэффициент усиления полосы пропускания продукта fT:

130 МГц

Минимальная рабочая температура:

- 65 ° C

Максимальная рабочая температура:

+ 150 ° C

Серии:

Упаковка:

Катушка

Упаковка:

Разрезанная лента

Упаковка:

Указатель мыши

Бренд:

onsemi

Постоянный ток коллектора:

1 А

Коэффициент усиления коллектора постоянного тока/базы hfe Min:

25

Высота:

1,57 мм

Длина:

6,5 мм

Тип продукта:

BJTs - биполярные транзисторы

Количество в заводской упаковке:

1000

Подкатегория:

Транзисторы

ТЕХНОЛОГИЯ:

Si

Ширина:

3,5 мм

Вес единицы измерения:

0,003951 унции

• Номер модели - BCP56-10T1G
• Происхождение - Материковый Китай